Classe AB = Plus de la moitié mais pas la totalité du signal (50–100 %) est utilisée (180° < a < 360°).

La classe AB est un compromis entre la classe A et la classe B : le point de repos de l’amplificateur se situe entre celui d’un amplificateur de classe A et celui d’un amplificateur de classe B.

Une telle méthode de polarisation permet à la classe AB de fonctionner en classe A pour les signaux de faible amplitude puis de se comporter comme un amplificateur de classe B pour les signaux de forte amplitude.

Tout comme pour les amplificateurs de classe B, les amplificateurs de classe AB sont souvent utilisés en configuration push-pull afin de diminuer le taux de distorsion lors de l’amplification de signaux de forte amplitude.

Le principal inconvénient des push-pull de classe AB survient lorsque l’on amplifie des signaux de forte amplitude : une partie du signal est amplifiée par deux transistors (zone de fonctionnement en classe A) tandis que le reste du signal est amplifié par un seul transistor (zone de fonctionnement en classe B).

Ainsi, le gain en courant du montage n’est pas constant au cours d’un « cycle » d’amplification. Cette variation du gain en courant engendre des distorsions hautes fréquences lors du passage entre la zone où deux composants amplifient le signal et celle où un seul composant l’amplifie.

Pour les amplificateurs à tubes, on rajoute parfois deux sous-classes à la classe AB : la classe AB1, sans apparition de courant grille et la classe AB2 avec courant grille.

Ces deux sous-classes n’ont de sens que pour les amplificateurs à tubes. En effet, il existe toujours un courant de base dans un transistor bipolaire, et toute variation de tension sur la grille d’un transistor à effet de champ nécessitera un courant afin de charger ou décharger la capacité grille-source inhérente à cette technologie de transistor.

Il peut exister un phénomène d’emballement thermique lors de l’utilisation d’un montage push-pull classe AB à base de transistors bipolaires. L’ajout d’une résistance Re en série dans l’émetteur de chaque transistor de l’étage final et la stabilisation du courant de repos en fonction de la température sont des solutions à ce problème.